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NTE4153NT1G

更新时间:2025-07-04 04:09:19

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NTE4153NT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89

封装:SC-89，SOT-490

NTE4153NT1G 概述

NTE4153NT1G是由NTE Electronics生产的一款P沟道增强型MOSFET。该器件采用SOT-23封装，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合在空间受限的应用中使用。其最大漏源电压为-20V，适用于电池供电设备、负载开关和电源管理电路等场景。由于其紧凑的封装尺寸和良好的电气性能，在便携式电子设备如智能手机、平板电脑以及可穿戴设备中有广泛应用。在实际应用中，建议注意栅极驱动电压的选择以确保完全开启MOSFET，并且在PCB布局时尽量减小走线电感以优化开关性能。

NTE4153NT1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
915mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
230 毫欧 @ 600mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1.1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
1.82nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
110pF @ 16V
功率 - 最大
300mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-89，SOT-490
供应商设备封装
SC-89-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTE4153NT1GOSTR

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