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NTMSD3P303R2G

更新时间:2025-06-10 13:59:41

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ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

NTMSD3P303R2G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
FETKY™
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
二极管（隔离式）
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.34A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
85 毫欧 @ 3.05A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
750pF @ 24V
功率 - 最大
730mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTMSD3P303R2GOS

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