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NTD24N06LT4G

更新时间:2025-07-03 13:57:37

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市诚研翔科技有限公司
NTD24N06LT4G
BOM配单
只做原装正品，提供一站式配套服务
上传BOM

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深圳市金嘉锐电子有限公司
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优势
32560
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SOT252/2026+
原装优势有货

深圳市英德州科技有限公司
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优势
56120
ON(安森美)
TO2522(DPAK)/23+
公司现货直销原装支持实单不止销售也可回收

深圳市中元伟业电子商行
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TO252/24+
专做MOS/ESD静电二三极管进口替代和技术支持

深圳市宏创兴泰电子有限公司
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5000
ON(安森美)
TO2522(DPAK)/-
有上有货原装现货可看货，提供配单服务

深圳市新亿利电子有限公司
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5000
ON(安森美)
TO2522(DPAK)/24+
原厂直销，提供一站式服务

深圳市芯珵科技有限公司
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2500
ON
SOT723/2026+
进口原装现货，支持BOM配单

深圳市杰兴伟业电子有限公司
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TDA7388 国
免费样品
300000
JSMSEMI/杰盛微
TO252/23+
一级代理商可提供技术方案支持

深圳市优尚半导体科技有限公司
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5000
ON(安森美)
TO2522(DPAK)/25+
提供BOM一站式配单服务

深圳市楚胜电子有限公司
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22358
ON
DPAK 4 LEAD Single Gauge Surface Mount/22+
房间现货，价格优势。

深圳市粤东诚信电子有限公司
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10000
ON(安森美)
TO2522(DPAK)/24+
原装，一站式BOM表配单

深圳市岳泰达电子有限公司
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12500
ON(安森美)
TO2522(DPAK)/24+
16年老牌企业原装低价现货

深圳市正纳电子有限公司
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29078
ON(安森美)
-/-
现货十年以上分销商，原装进口件，服务型企业

深圳市汇创佳电子科技有限公司
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5200
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DPAK3/20+
公司现货原装

深圳市能元时代电子有限公司
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85888
ON Semiconductor
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/25+
百分百原装，价格优势可提供技术支持，免费送样品

深圳市弘芯创科技有限公司
NTD24N06LT4G
50000
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深圳市赛美科科技有限公司
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ON
TO252/2025+
一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货

深圳市诚研翔科技有限公司
NTD24N06LT4G
8000
ON
DPAK 4/22+
原装现货，配单能手

绿盛电子(香港)有限公司
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ON/安森美
TO252/23+
代理原装现货,特价热卖

深圳市金华微盛电子有限公司
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深圳市华盛锦科技有限公司
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ON SEMICONDUCTOR
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原装现货，支持BOM配单

深圳市金嘉锐电子有限公司
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DPAK2/2026+
原装优势有货

深圳市科圳威电子有限公司
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ON(安森美)
TO2522(DPAK)/24+
深圳原装现货，可看货可提供拍照

深圳市永贝尔半导体有限公司
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VB
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只做原装更多数量在途订单

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TO252/23+
罗姆ROHM合作商村田太诱代理 BOM一站式配套QQ59230

深圳市芯通晟电子有限公司
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-/26+
全新原装，可开增值税票

深圳市华美锐电子有限公司
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ON/安森美
SMD/22+
只做原装,专注海外现货订购20年

深圳市华美锐科技有限公司
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3000
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原装正品热卖，价格优势

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DPAK 4/23+
高品质优选好芯

深圳市伟科芯电子科技有限公司
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TO2523/23+
只做原装

深圳市威尔健半导体有限公司
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TO252/2025+
原装现货

深圳市勤尚伟业电子有限公司
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原装库存，提供优质服务

深圳市优尚半导体科技有限公司
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终端可以免费供样，支持BOM配单

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深圳市勤尚伟业电子有限公司
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TO2522(DPAK)/25+
只做原装，可提供技术支持及配单服务

深圳市君云达电子科技有限公司
NTD24N06LT4G
157563
ON/安森美
TO252/24+
原装正支持实单

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NTD24N06LT4G外观图

NTD24N06LT4G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

NTD24N06LT4G 概述

NTD24N06LT4G是由安森美半导体生产的N沟道MOSFET。它采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，典型Rds(on)值在4.5V栅源电压下为30mΩ。这款MOSFET适用于需要高效功率转换的应用场景，如电源管理、电机驱动和负载切换等。其最大漏极电流可达24A，能够承受最高60V的漏源电压，非常适合用于工业控制设备中的开关电源电路。在实际应用中，建议确保栅极驱动电压足够以降低导通损耗，并注意PCB布局以优化散热性能。对于电机驱动应用，可以考虑添加适当的缓冲电路来保护MOSFET免受感应电压尖峰的影响。

NTD24N06LT4G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
24A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
45 毫欧 @ 10A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
32nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1140pF @ 25V
功率 - 最大
1.36W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
DPAK-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTD24N06LT4G-NDNTD24N06LT4GOSTRQ2341271

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