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              NTZD3155CT1G
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NTZD3155CT1G

更新时间:2025-04-25 17:20:32
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NTZD3155CT1G的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

NTZD3155CT1G外观图

  • 标准包装：4,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：-
  • FET 型：N 和 P 沟道
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：540mA，430mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：550 毫欧 @ 540mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：2.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：150pF @ 16V
  • 功率 - 最大：250mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装：SOT-563
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NTZD3155CT1GOSTR
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