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PBSS5630PA,115

更新时间:2025-05-25 00:32:01
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PBSS5630PA,115外观图

PBSS5630PA,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 单路

TRANSISTOR PNP 30V 6A SOT1061

  • 封装:3-UDFN 裸露焊盘
PBSS5630PA,115 规格参数
  • 特色产品
    NXP - I2C Interface
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    6A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    350mV @ 300mA，6A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    190 @ 2A，2V
  • 功率 - 最大
    2.1W
  • 频率 - 转换
    80MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    3-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装
    3-HUSON
  • 包装
    带卷 (TR)
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
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