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PBSS8110T,215

更新时间:2025-07-13 03:32:40
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PBSS8110T,215外观图

PBSS8110T,215

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 单路

TRANS NPN 100V 1A SOT23

  • 封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PBSS8110T,215 规格参数
  • 特色产品
    NXP - I2C Interface
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    200mV @ 100mA，1A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    150 @ 250mA，10V
  • 功率 - 最大
    480mW
  • 频率 - 转换
    100MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    TO-236AB
  • 包装
    带卷 (TR)
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