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PHT4NQ10T

更新时间:2025-07-03 19:46:49
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PHT4NQ10T 规格参数
  • 典型关断延迟时间
    20 ns
  • 典型接通延迟时间
    8 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs
    7.4 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds
    300 pF V @ 25
  • 安装类型
    表面贴装
  • 宽度
    3.7mm
  • 封装类型
    SC-73
  • 尺寸
    6.7 x 3.7 x 1.7mm
  • 引脚数目
    4
  • 最低工作温度
    -65 °C
  • 最大功率耗散
    6900 mW
  • 最大栅源电压
    ±20 V
  • 最大漏源电压
    100 V
  • 最大漏源电阻值
    0.25
  • 最大连续漏极电流
    3.5 A
  • 最高工作温度
    +150 °C
  • 每片芯片元件数目
    1
  • 类别
    功率 MOSFET
  • 通道模式
    增强
  • 通道类型
    N
  • 配置
    双漏极、单
  • 长度
    6.7mm
  • 高度
    1.7mm
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