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PHU101NQ03LT

更新时间:2025-05-08 06:02:15
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PHU101NQ03LT 相关资料

  • 其它信息：

    75.0A/30V

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  • 制造商：NXP
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：75 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0055 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：IPAK
  • 封装：Rail
  • 下降时间：33 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：166 W
  • 上升时间：90 ns
  • 工厂包装数量：75
  • 典型关闭延迟时间：37 ns
  • 零件号别名：PHU101NQ03LT,127
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