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PMBFJ112,215

更新时间:2025-07-13 06:05:54
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PMBFJ112,215外观图

PMBFJ112,215

NXP Semiconductors JFET（结点场效应

JFET N-CH 40V 5MA SOT23

  • 封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PMBFJ112,215 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    JFET（结点场效应
  • 系列
    -
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)
    5mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    40V
  • 漏极电流 (Id) - 最大
    -
  • FET 型
    N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
    40V
  • 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id
    5V @ 1µA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    6pF @ 10V（VGS）
  • 电阻 - RDS（开）
    50 欧姆
  • 安装类型
    表面贴装
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    TO-236AB
  • 功率 - 最大
    300mW
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