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PMBFJ112

更新时间:2024-04-21 02:27:03
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    0.005A/25V

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PMBFJ112外观图

  • 晶体管类型::结型场效应晶体管(JFET)
  • 击穿电压::40V
  • 零栅极电压漏极电流范围 Idss::5mA
  • 电压, Vgs off 最大::3V
  • 功耗, Pd::300mW
  • 封装类型::SOT-23
  • 针脚数::3
  • SVHC(高度关注物质)::No SVHC (18-Jun-2012)
  • 关断电压, Vgs off 最低::-10V
  • 功耗::300mW
  • 封装类型::SOT-23
  • 总功率, Ptot::300mW
  • 晶体管极性::?频道
  • 栅极电流, Ig::50mA
  • 电压, Vds 最大::40V
  • 电流, Idss 最小::5mA
  • 结温, Tj 最高::150°C
  • 表面安装器件::表面安装
  • 通态电阻, Rds on 最大::50ohm
  • 针脚配置::D(1),S(2),G(3)
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