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PMBFJ112

更新时间:2025-05-16 03:13:09
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PMBFJ112 规格参数
  • 晶体管类型:
    结型场效应晶体管（JFET）
  • 击穿电压:
    40V
  • 零栅极电压漏极电流范围 Idss:
    5mA
  • 电压, Vgs off 最大:
    3V
  • 功耗, Pd:
    300mW
  • 封装类型:
    SOT-23
  • 针脚数:
    3
  • SVHC(高度关注物质):
    No SVHC (18-Jun-2012)
  • 关断电压, Vgs off 最低:
    -10V
  • 功耗:
    300mW
  • 封装类型:
    SOT-23
  • 总功率, Ptot:
    300mW
  • 晶体管极性:
    ?频道
  • 栅极电流, Ig:
    50mA
  • 电压, Vds 最大:
    40V
  • 电流, Idss 最小:
    5mA
  • 结温, Tj 最高:
    150°C
  • 表面安装器件:
    表面安装
  • 通态电阻, Rds on 最大:
    50ohm
  • 针脚配置:
    D(1),S(2),G(3)
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