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PSMN009-100P,127

更新时间:2025-05-25 13:36:12

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NXP Semiconductors FET - 单

MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB

封装:TO-220-3

PSMN009-100P,127 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
75A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8.8 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
156nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
8250pF @ 25V
功率 - 最大
230W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
568-5770934057044127PSMN009-100PPSMN009-100P,127-NDPSMN009-100P-ND

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