SI2301ADS-T1-GE3
VISHAY/威世
SOT-23
普通型
贴片式
卷带编带包装
小功率
深圳中元伟业经营世界厂家,MOS管/高频管/场效应管/变容管/电源IC,二三极管等SMD,产品主要应用于民用、工业、军事领域的通讯、网络、仪器仪表、电脑、电视、VCD/DVD、音响、IT等。...
电话:0755-82567073
手机:15989333262
TJ15P04M
TOSHIBA(东芝)
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET...
电话:0755-83525113
手机:15986655004
NTB18N06LT4G
ON(安森美)
TO263
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc) 驱动电压( Rds On, Rds On) 5V 不同 Id,Vgs 时的 Rds O...
电话:0755-27381274
手机:18098996457
全系列
美国万代
TO252
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
AOD4186结合先进的沟槽MOSFET技术具有低电阻包提供极低的RDS(ON)。这个装置是理想的低高压变频器的应用。AOD4186参数:VDS(V)=40VID = 35A (VGS = 10V)RDS(ON)< 1...
电话:0755-83538626
手机:15815503065
FCPF1300N80Z
ON(安森美)
TO-220-3
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
因电子元器件涨幅较大,网站库存价格没办法实时更新,请联系客服,以当天报价为准。谢谢理解~ 品牌: ON/安森美 型号: FCPF1300N80Z 批号: 2050 封装: TO-220-3 数量: 3000 QQ: ...
电话:
手机:19128451749
BSC028N06NS
INFINEON(英飞凌)
TDSON-8
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
大功率
-连续漏极电流:100 A
产品种类: MOSFET REACH - SVHC: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流...
电话:0755-83245423
手机:15673540295
AO4815
AOS
SOP8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
超大功率
双P沟道 8A/30V MOS管场效应管 SOP8 <h1 data-spm="100...
电话:0755-83204556
手机:18138437999
其他
xessco
2SK3018
贴片
标准
2016+
标准
其他
产品应用产品主要应用于智能科技、物联网、工业控制、家电控制、通信、医疗、航模、无线通讯、仪器仪表、汽车电子、LED智能照明等。 公司使命赛斯科秉承“互惠互利、供求双赢”的经营...
电话:0755-88607577
手机:13798575788
IRFP260NPBF
INFINEON(英飞凌)
TO-247AC-3
无铅环保型
直插式
管装
小功率
IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET)产品描述: 类别分立半导体产品晶体管FET,MOSFET单 FET,MOSFET制造商Infineon Technologies包装管件零件状态在售FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化...
电话:13691744789
DMN2004WK-7
DIODES
SOT-523
普通型
管装
单件包装
大功率
0.7/PCS
20V场效应管N沟道MOSFET/20V场效应管N沟道MOSFET20V场效应管N沟道MOSFET20V场效应管N沟道MOSFET4.4V高电压新型锂电池充电专用芯片耐压12V单节锂电充电芯片,5V输入充电电流可达1A, ...
电话:0755-83768026
手机:13715286762
IR/国际整流器
IRF9540NPBF
TO-220
询问
N沟道
100V
23A(Tc)
10V
IRF9540NPBF TO-220 参数: IRF9540NPBF TO-220 参数: IRF9540NPBF TO-220 参数: 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格:...
电话:15817467967
手机:15817467967
FS225R12KE3/AGDR-82C
ABB
无铅环保型
12660.0
FS225R12KE3/AGDR-82C FS225R12KE3/AGDR-81C FS225R17KE3/AGDR-81C FS225R17KE3/AGDR-82C FS225R12KE3/AGDR-82C FS225R17KE3/AGDR-81C FS300R12KE3/AGDR-81C FS300R12KE3/AGDR-81C FS300R12KE3/AGDR-82C FS300R12KE3/AGDR-82C FS450R12KE3/AGDR-81C FS450R12K...
电话:021-51035787
手机:13764678882
IPDH4N03LA-G
INFINEON(英飞凌)
SMD
普通型
直插式
卷带编带包装
大功率
IPDH4N03LA-G 晶体管 Infineon 产品属性 IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-...
电话:0755-82542579
手机:18098996457
SPW47N60C3
INFINEON(英飞凌)
TO-247
无铅环保型
直插式
直插
SPW47N60C3 SPW47N60C3 SPW47N60C3 属性 参数值 商品目录 MOS(场效应管) 漏源电压(Vdss) 650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时) 47A 栅源极阈值电压 3.9V @ 2.7mA 漏源导通...
电话:0755-83663056
手机:18922803401
IRF530NPBF
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
单件包装
产品信息 场效应管 MOSFET N TOV 17A 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 17A 漏源电压, Vds: 100V 在电阻RDS(上): 90mohm 电压 @ Rds测量: 10V 阈值电压 Vgs: 4V 功耗 Pd: 63W 晶体...
电话:0755-23602257
手机:18118727826
SGM3784YG
SGM
无铅环保型
深圳市合江泰电子有限公司成立于2002年,公司自成立以来,一直致力于世界各电子元器件的推广与销售,是一家化的极具综合竞争优势的电子元器件供应商。 主要经营直插贴片、通信集成系列、工业级系列,其中以PHILIPS、IR、MOTOROLA、NS、TI、NEC、TOSHIBA 等为...
电话:0755-83562293
手机:13480782162
77E640
NXP(恩智浦)
SOT669
无铅环保型
直插式
单件包装
中功率
77E640 汽车电脑板N沟道MOS场效应管。 深圳创鑫兴电子科技郑重承诺:只做原装! 汽车半导体按种类可分为功能芯片MCU(MicrocontrollerUnit)、功率半导体(IGBT、MOSFET 等)、传感器...
电话:0755-82565468
手机:13699867335
50P06D
XBLW/芯伯乐
TO-252
普通型
贴片式
卷带编带包装
大功率
XBLW/芯伯乐 国产品牌50P06D深圳市博伟奇电子有限公司是一家专注于集成电路产品代理分销,致力于为客户提供灵活、高效、可靠的芯片服务。公司总部设在中国深圳,由一批具有海内外企业...
电话:0755-23912636
手机:17665311740
AOTF4S60
NA
SOP8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
AOTF4S60 一手货源 进口原装现货长期供应! 深圳市现代芯城互联网科技有限公司,是国际的电子元件混合型分销商,公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处,专注于...
电话:0755-27381274
手机:18098996457
HGN021N06SL
恒泰柯
HGD035N08AL
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
低压mosfet低压mosfet特点:高速电源开关,逻辑电平增强体二极管dv/dt能力增强雪崩强度100%的ui测试,100%的Rg测试无铅,无卤素低压mosfet应用:SMPS同步整流硬开关和高速电路在电信...
电话:4008789877
一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流