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RN1130MFV(TPL3)

更新时间:2025-04-24 04:09:27
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RN1130MFV(TPL3)的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 制造商：Toshiba
  • 产品种类：Transistors Switching (Resistor Biased)
  • 晶体管极性：NPN
  • 典型输入电阻器：100 KOhms
  • 典型电阻器比率：1
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：VESM-3
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
  • 集电极连续电流：100 mA
  • 功率耗散：150 mW
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 封装：Reel
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：10 V
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 工厂包装数量：8000
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