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RN1131MFV(TPL3)

更新时间:2025-05-19 03:17:20
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RN1131MFV(TPL3) 规格参数
  • 制造商
    Toshiba
  • 产品种类
    Transistors Switching (Resistor Biased)
  • 晶体管极性
    NPN
  • 典型输入电阻器
    100 KOhms
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    VESM-3
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    50 V
  • 集电极连续电流
    100 mA
  • 功率耗散
    150 mW
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 封装
    Reel
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
    5 V
  • 最小工作温度
    - 65 C
  • 工厂包装数量
    8000
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