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RPM-20PB

更新时间:2025-06-14 18:43:02
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RPM-20PB 规格参数
  • 制造商
    ROHM Semiconductor
  • 产品种类
    Phototransistors
  • 最大功率耗散
    100 mW
  • 最大暗电流
    0.5 uA
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    32 V
  • 下降时间
    10 us
  • 最大工作温度
    + 85 C
  • 最小工作温度
    - 25 C
  • 封装
    Bulk
  • 上升时间
    10 us
  • 类型
    IR Chip
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