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SDT08S60

更新时间:2025-06-17 14:24:27

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市辉华电子半导体有限公司
SDT08S60
BOM配单
18年用芯服务，承接一站式BOM配单
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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原装现货，实单支持

深圳市金科创世纪电子有限公司
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10000
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原装现货，可开票，提供账期诚信服务

深圳市富科达科技有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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可查官网https//www.icscjh.com/

深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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6000
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终端可以免费供样，支持BOM配单

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深圳市福田区超洋芯电子经营部
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深圳市汉威信息技术有限公司
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深圳市捷富芯科技有限公司
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原装现货，实单支持

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深圳市英德州科技有限公司
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深圳市德江源电子有限公司
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深圳市买点元件商城
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HXY MOSFET(华轩阳电子)
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SDT08S60 概述

SDT08S60是STMicroelectronics生产的一款N沟道功率MOSFET，适用于高频开关应用。该器件的最大漏源电压(VDS)为600V，连续漏极电流(ID)在25°C时为8A。其低栅极电荷和低导通电阻(RDS(on))特性使其非常适合于高效电源转换器设计。典型应用场景包括不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电机驱动和开关模式电源(SMPS)等。由于其快速的开关速度和优秀的热性能，在高频率操作下仍能保持较低的开关损耗，有助于提高整体系统效率并减少散热需求。使用时应注意合理选择栅极驱动电阻以优化开关性能，并确保足够的散热措施。

SDT08S60 规格参数

数据列表
SDT08S60
标准包装
500
类别
分离式半导体产品
家庭
单二极管/整流器
系列
thinQ!™
二极管类型
碳化硅肖特基
电压 - (Vr)（最大）
600V
电流 - 平均整流 (Io)
8A（DC）
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
1.7V @ 8A
速度
无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间(trr)
0ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电
300µA @ 600V
电容@ Vr, F
280pF @ 0V，1MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-2
供应商设备封装
PG-TO220-2
包装
管件
其它名称
SDT08S60XSDT08S60XKSP000014897

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