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SI2302ADS-T1-E3

更新时间:2024-04-19 18:11:22
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SI2302ADS-T1-E3的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SI2302ADS-T1-E3外观图

  • 数据列表：SI2302ADS
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：60 毫欧 @ 3.6A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：300pF @ 10V
  • 功率 - 最大：700mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI2302ADS-T1-E3TR
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    [相关信息]... 产品型号：SI2302DS-T1 所属类型：半导体三极管 制造商：Vishay 封装方式：SOT-23 产品详细参数 RoHS：否 配置：Single 晶体管极性：N-Channel 极极/源极击穿电压：20V 闸/源击穿电压：+/-8V 漏极连续电流：2.8A 功率耗散：1250mW 最大工作温度：+...     SI2302DS SI2302DS A2 SI2302DS T/R SI2302DS/022P SI2302DS215 SI2302DS-T SI2302DST1 SI2302DS-T1/A2 SI2302DS-T1-E3 SI2302DS-T1-E3(A2) SI2302DS-TI SI2302-SMT3-ATP SI2303 SI2303ADS SI2303ADS-T1 SI2303ADS-T1-E3
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