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SI4435DDY-T1-GE3

更新时间:2025-07-07 20:09:18
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SI4435DDY-T1-GE3 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    30 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 20 V
  • 漏极连续电流
    8.1 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    24 mOhms
  • 配置
    Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    SOIC-8 Narrow
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    12 ns, 16 ns
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    2500 mW
  • 上升时间
    8 ns, 35 ns
  • 工厂包装数量
    2500
  • 典型关闭延迟时间
    45 ns, 40 ns
  • 零件号别名
    SI4435DDY-GE3
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
黄金展位供应商

  • 电话：0755-83799981
    深圳市英特翎科技有限公司
    QQ:248435082

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