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SI4505DY-T1-GE3

更新时间:2025-07-17 19:07:11
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SI4505DY-T1-GE3 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    TrenchFET®
  • FET 型
    N 和 P 沟道
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V，8V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    6A，3.8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    18 毫欧 @ 7.8A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    20nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    -
  • 功率 - 最大
    1.2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SOICN
  • 包装
    带卷 (TR)
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
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