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SI7792DP-T1-GE3

更新时间:2025-05-17 00:33:04
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SI7792DP-T1-GE3 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    30 V
  • 闸/源击穿电压
    20 V
  • 漏极连续电流
    60 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.0017 Ohms
  • 配置
    Single
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    PowerPAK SO-8
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    12 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
    83 S
  • 栅极电荷 Qg
    90 nC
  • 功率耗散
    104 Watts
  • 上升时间
    13 ns
  • 典型关闭延迟时间
    40 ns
  • 零件号别名
    SI7792DP-GE3
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
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