3000
DFN50608L/23+
可信任的汽车芯片代理现货与生产技术方案商
SI7866ADP-T1-E3
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3000/-
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SI7866ADP-T1
3000
DFN50608L/23+
可信任的汽车芯片代理现货与生产技术方案商
SI7866ADP
2630
QFN8/12+
只做原装,也只有原装
SI7866ADP
69000
QFN8/21+
原厂原装现货 假一赔十
SI7866ADP
8014
NA//23+
优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票
SI7866ADP
80000
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原装现货
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5000
TSSOP/22+
现货假一罚万只做原厂原装现货
SI7866ADP
96500
QFN/2021+
一级代理品牌,价格优势,原厂原装,量大可以发货订货
SI7866ADP
31200
TSSOP/24+
房间现货,诚信经营,提供BOM配单服务
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4980
TSSOP/2021+
只做原装假一罚十自己库存实单可议公司现货
SI7866ADP
8300
TSSOP/22+
原装现货,配单能手
SI7866ADP
12260
TSSOP/23+
高品质 优选好芯
SI7866ADP
12500
TSSOP/24+
16年老牌企业 原装低价现货
SI7866ADP
4000
VISHAY/22+
只做原装,提供一站式配单
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65286
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全新原装现货,长期供应,免费送样
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TSSOP/23+
只做原装更多数量在途订单
SI7866ADP
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原装现货
SI7866ADP
5000
-/22+
宽宏博大,通达天下
。除or-ing应用外,si4398dy还可用于低功耗整流、直流到直流以及负载点功率转换电路。对于低压电源,在采用so-8封装的器件中,si4398dy具有最佳的rds(on)额定值。当功率增加时,采用热增强型封装的功率mosfet可在相同占位面积中传导更多电流,从而可减少应用所需的器件数。在需要冗余电路的交流或直流开关模式电源中,这可实现通过12v的轨电压拓扑结构增加功率密度。 为在静止空气环境中实现最佳散热效果,vishay正在推出采用热增强型powerpak so-8封装的si7866adp。si7866adp在10v时最大额定导通电阻值为2.4毫欧,该器件将低传导损耗与强大可靠的热性能进行了完美结合。最大结到外壳热阻为1.5℃/w,而标准so-8提供的结到脚(junction-to-foot)热阻为16℃/w。除or-ing外,其目标应用还包括台式机电脑中的同步降压转换器以及低输出电压同步整流。 对于使用风冷装置的实施,先前推出的采用polarpak封装的sie808df(有两个散热通道,分别位于该器件的顶部与底部)具有比仅次之的采用双面冷却的器件低20%的导通
8毫欧。除or-ing应用外,si4398dy还可用于低功耗整流、直流到直流以及负载点功率转换电路。对于低压电源,在采用so-8封装的器件中,si4398dy具有最佳的rds(on)额定值。当功率增加时,采用热增强型封装的功率mosfet可在相同占位面积中传导更多电流,从而可减少应用所需的器件数。在需要冗余电路的交流或直流开关模式电源中,这可实现通过12v的轨电压拓扑结构增加功率密度。 为在静止空气环境中实现最佳散热效果,vishay正在推出采用热增强型powerpak so-8封装的si7866adp。si7866adp在10v时最大额定导通电阻值为2.4毫欧,该器件将低传导损耗与强大可靠的热性能进行了完美结合。最大结到外壳热阻为1.5℃/w,而标准so-8提供的结到脚(junction-to-foot)热阻为16℃/w。除or-ing外,其目标应用还包括台式机电脑中的同步降压转换器以及低输出电压同步整流。 对于使用风冷装置的实施,先前推出的采用polarpak封装的sie808df(有两个散热通道,分别位于该器件的顶部与底部)具有比仅次之的采用双面冷却的器件低20%的导通电阻。
用外,si4398dy还可用于低功耗整流、直流到直流以及负载点功率转换电路。 对于低压电源,在采用 so-8 封装的器件中,si4398dy具有最佳的 rds(on)额定值。当功率增加时,采用热增强型封装的功率 mosfet 可在相同占位面积中传导更多电流,从而可减少应用所需的器件数。在需要冗余电路的交流或直流开关模式电源中,这可实现通过 12v 的轨电压拓扑结构增加功率密度。 为在静止空气环境中实现最佳散热效果,vishay 正在推出采用热增强型 powerpak® so-8 封装的si7866adp。si7866adp在 10v 时最大额定导通电阻值为 2.4 毫欧,该器件将低传导损耗与强大可靠的热性能进行了完美结合。最大结到外壳热阻为 1.5°c/w,而标准 so-8 提供的结到脚(junction-to-foot)热阻为 16°c/w。除 or-ing 外,其目标应用还包括台式机电脑中的同步降压转换器以及低输出电压同步整流。 对于使用风冷装置的实施,先前推出的采用 polarpak® 封装的 sie808df(有两个散热通道,分别位于该器件的顶部与底部)具有比仅次之的采用双面
2.8毫欧。除or-ing应用外,si4398dy还可用于低功耗整流、直流到直流以及负载点功率转换电路。对于低压电源,在采用so-8封装的器件中,si4398dy具有最佳的rds(on)额定值。当功率增加时,采用热增强型封装的功率mosfet可在相同占位面积中传导更多电流,从而可减少应用所需的器件数。在需要冗余电路的交流或直流开关模式电源中,这可实现通过12v的轨电压拓扑结构增加功率密度。 为在静止空气环境中实现最佳散热效果,vishay正在推出采用热增强型powerpak so-8封装的si7866adp。si7866adp在10v时最大额定导通电阻值为2.4毫欧,该器件将低传导损耗与强大可靠的热性能进行了完美结合。最大结到外壳热阻为1.5℃/w,而标准so-8提供的结到脚(junction-to-foot)热阻为16℃/w。除or-ing外,其目标应用还包括台式机电脑中的同步降压转换器以及低输出电压同步整流。 对于使用风冷装置的实施,先前推出的采用polarpak封装的sie808df(有两个散热通道,分别位于该器件的顶部与底部)具有比仅次之的采用双面冷却的器件低20%的导通电阻。在1