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SIR426DP-T1-GE3

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  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:30A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:10.5 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:31nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1160pF @ 20V
  • 功率 - 最大:41.7W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:Q5396740TGSIR426DP-T1-GE3-NDSIR426DP-T1-GE3TRT1317218

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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