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SIR662DP-T1-GE3

更新时间:2025-05-19 04:02:28
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SIR662DP-T1-GE3 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    TrenchFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    60A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    2.7 毫欧 @ 20A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    96nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    4390pF @ 30V
  • 功率 - 最大
    104W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装
    PowerPAK? SO-8
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    SIR662DPSIR662DP-T1-GE3TRSIR662DPTRSIR662DPTR-ND
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
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