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SK100GB12T4T

更新时间:2025-05-28 20:34:55

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说明
询价

深圳市诚研翔科技有限公司
SK100GB12T4T
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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深圳市硅宇电子有限公司
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上海凯昂电子技术有限公司
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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上海森港电子科技有限公司
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深圳市威雅利发展有限公司
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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深圳市创升扬电子有限公司
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MODULE/22+
原装拆机现货/部分全新原装现货欢迎来电

上海三村电子技术有限公司
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中科航芯（深圳）科技有限公司
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SK100GB12T4T 概述

SK100GB12T4T是STMicroelectronics生产的一款碳化硅（SiC）功率MOSFET。该器件专为高压应用设计，具有低导通电阻和高开关速度特性，适用于高效能电源转换系统。其最大漏源电压（Vds）可达1200V，适合用于工业级电源、电动汽车充电器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等场景。在实际应用中，推荐使用适当的栅极驱动电路来确保可靠开关操作。由于其高耐压和快速开关特性，在设计时需特别注意PCB布局以减少寄生电感，避免电压尖峰。对于热管理，建议根据具体应用场景选择合适的散热方案，如散热片或液冷系统，以确保最佳性能与可靠性。同时，选用合适的门极电阻值可以优化开关损耗与EMI表现。

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