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SST31LF041-70-4C-WI

更新时间:2025-04-12 21:51:12
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SST31LF041-70-4C-WI 相关资料
  • 其它信息:

    Flash+SRAM联合存储器:512K×8 Flash+128K×8SRAM;读、写操作电庄:3.0~3.6V;并行操作:在SRSM读出或写入时在Flash中擦除/编程;高可靠性,保证100000次读/写(典型值),数据保持100年;低功耗,动态读出电流:Flash为10mA(典型值),SRAM为20mA(典型值),待机电流:10μA(典型值); Flash扇区擦除功能:均匀的4KB扇区; Flash锁存地址和数据; 快速读取时间:Flash为70ns,SRAM为70ns;Flash快速擦除和字节编程操作,扇区擦除时间:18ms(典型值),组擦除时间:70ms(典型值),字节编程时间:14μs(典型值),组重写时间:8s(典型值);Flash自动调节擦除和编程时间;Flash有写入完成监测:触发位和Data#查询;兼容CMOS I/O; 符合JEDEC标准命令集; 温度范围:0~+70℃(商用级C)

  • 引脚图:

    SST31LF041-70-4C-WI引脚图

SST31LF041-70-4C-WI的中文资料 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商:Microchip
  • 产品种类:闪存
  • 存储容量:4 Mbit
  • 访问时间:70 ns
  • 工作温度:0 C to + 70 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TSOP-I-40
  • 封装:Tray
  • 组织:512 K x 8

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