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STB22NE03L

更新时间:2025-06-09 00:54:22

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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STB22NE03L 概述

STB22NE03L是由意法半导体生产的N沟道增强型MOSFET。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关应用。其最大漏源电压为30V，在栅极驱动电压为4.5V时的最大连续漏电流可达22A。该MOSFET广泛应用于电源管理、直流 - 直流转换器以及电机驱动电路中。例如在笔记本电脑的电源适配器中可用于实现高效能的功率转换。在使用时需要注意保证栅极驱动电压足够以确保MOSFET完全导通，避免因部分导通导致过热损坏。在电机驱动电路里，要根据实际电流需求合理选择并联数量以分担负载电流。

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