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STD11NM60N

更新时间:2024-04-26 00:43:50
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STD11NM60N外观图

  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:MDmesh™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:450 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:31nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:850pF @ 50V
  • 功率 - 最大:90W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:D-Pak
  • 包装:Digi-Reel?
  • 其它名称:497-5733-6
STD11NM60N 相关信息
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