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STD20NE03L

更新时间:2025-06-13 12:18:52

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市龙胜微科技有限公司
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注重品质，价格优势

深圳市天卓伟业电子有限公司
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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艾润（香港）电子有限公司
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STD20NE03L 概述

STD20NE03L是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。它采用D²PAK封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理应用。该器件的最大漏源电压为30V，连续漏极电流可达20A，在需要高效电能转换的场合表现优异。此MOSFET广泛应用于直流-直流转换器、电池充电器、电机驱动以及各类消费电子设备中。在实际使用时，建议确保栅极驱动电路能够提供足够的驱动电压以保证MOSFET完全导通，减少导通损耗。同时，注意散热设计，避免因过热导致性能下降或损坏。对于低功耗便携式设备，可利用其低栅极电荷特性简化驱动电路设计，提高整体效率。

STD20NE03L 规格参数

制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
30 V
闸/源击穿电压
+/- 15 V
漏极连续电流
20 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.02 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252
封装
Tube
下降时间
120 ns
最小工作温度
- 65 C
功率耗散
50 W
上升时间
160 ns
工厂包装数量
75

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