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意法半导体日前推出多款基于stripfet技术的低压n沟道场效应mos晶体管。stripfet技术采用优化布局和最新工艺,提高了栅电荷、栅电阻和输入电容特性,并且降低了导通和开关损耗。这些产品适用对象为超高开关频率,主要面向计算机主板和电信客户。意法半导体此次发布的新产品包括sts12nh3ll、stsj50nh3ll、std55nh2ll、std95nh02l、stl8nh3ll和stl50nh3ll。 其中,sts12nh3ll是一款30v器件,额定电流12a。stsj50nh3ll也是一款30v器件,额定电流50a。这两款产品在10v时典型通态电阻均是0.008ω,在4.5v时,通态电阻与栅电荷之间实现最佳组合。两个产品都是为电信应用高频直流-直流变换器和笔记本电脑内部电源管理电路而设计。sts12nh3ll采用so-8封装,stsj50nh3ll采用powerso-8封装。 而std55nh2ll则是一款24v的器件,额定电流55a。10v时,典型通态电阻0.01ω,4.5v时为0.012ω。这款器件为高频直流-直流变换器而设计,它采用ipak (to-251)通孔封装和表面组装dpa