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std55nh2ll中文资料

  • ST推出系列基于STripFET技术的低压场效应MOSFET

    意法半导体日前推出多款基于stripfet技术的低压n沟道场效应mos晶体管。stripfet技术采用优化布局和最新工艺，提高了栅电荷、栅电阻和输入电容特性，并且降低了导通和开关损耗。这些产品适用对象为超高开关频率，主要面向计算机主板和电信客户。意法半导体此次发布的新产品包括sts12nh3ll、stsj50nh3ll、std55nh2ll、std95nh02l、stl8nh3ll和stl50nh3ll。 其中，sts12nh3ll是一款30v器件，额定电流12a。stsj50nh3ll也是一款30v器件，额定电流50a。这两款产品在10v时典型通态电阻均是0.008ω，在4.5v时，通态电阻与栅电荷之间实现最佳组合。两个产品都是为电信应用高频直流-直流变换器和笔记本电脑内部电源管理电路而设计。sts12nh3ll采用so-8封装，stsj50nh3ll采用powerso-8封装。 而std55nh2ll则是一款24v的器件，额定电流55a。10v时，典型通态电阻0.01ω，4.5v时为0.012ω。这款器件为高频直流-直流变换器而设计，它采用ipak (to-251)通孔封装和表面组装dpa

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STD4NK50 STD3NK80Z-1 STD32 STD2000 STD18NF03L STD150N3LLH6 STD11NM60ND STD11NM60N STCC08 STCC05-BD4

STD5N95K3 STD5NK52ZD STD60N3LH5 STD6N62K3 STD7N52K3 STD85N3LH5 STD95N04 STD95NH02L STDC2150 STDC7150

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