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STD2NK60Z

更新时间:2025-07-07 11:57:54

供应商
产品型号
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厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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STD2NK60Z 概述

STD2NK60Z是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高频开关应用。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源转换器、适配器以及照明控制等应用场景。其最大漏源电压为600V，能够满足大多数高压应用需求。在驱动电路设计中，需注意栅极电阻的选择以优化开关速度和EMI性能。此外，由于其高效率和可靠性，STD2NK60Z也常用于不间断电源（UPS）系统中，确保稳定可靠的电力供应。在实际应用中，建议关注散热设计，以保证器件长期稳定运行。

STD2NK60Z 规格参数

制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
600 V
闸/源击穿电压
+/- 30 V
漏极连续电流
1.4 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
8 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
IPAK
封装
Reel
下降时间
25 ns
最小工作温度
- 55 C
功率耗散
45 W
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2500
典型关闭延迟时间
22 ns

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