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STGB20NB32LZT4

更新时间:2025-05-17 01:54:36
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STGB20NB32LZT4 规格参数
  • 制造商
    STMicroelectronics
  • 配置
    Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    2 V
  • 集电极—射极饱和电压
    1.1 V
  • 栅极/发射极最大电压
    12 V
  • 在25 C的连续集电极电流
    40 A
  • 栅极—射极漏泄电流
    +/- 660 uA
  • 功率耗散
    150 W
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 封装 / 箱体
    D2PAK-3
  • 封装
    Reel
  • 集电极最大连续电流 Ic
    40 A
  • 最小工作温度
    - 65 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 工厂包装数量
    1000
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