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STGE30N90D

更新时间:2025-06-04 23:06:16

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STGE30N90D 概述

STGE30N90D是意法半导体生产的一款高性能功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh技术，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，适用于高频开关应用。其最大漏源电压Vds为900V，连续漏极电流Id在25℃时可达30A。这款MOSFET适合用于电源转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等需要高效率和可靠性的场合。在电路设计中，建议搭配适当的散热措施以确保器件工作在安全温度范围内，并使用合适的驱动电路来优化开关性能。注意合理选择栅极电阻值以控制开关速度并减少EMI干扰。

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