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STP25NM50N

更新时间:2024-04-28 04:03:26
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STP25NM50N 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=22A
    电压参数：UDS=500V/UGS=±25V
    功   率：Ptot=160W
    其他参数:10V/0.11Ω,trr=460ns
    极  性:N

STP25NM50N的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STP25NM50N外观图

  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：MDmesh™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：22A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：140 毫欧 @ 11A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：84nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2565pF @ 25V
  • 功率 - 最大：160W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 其它名称：497-4672-5
STP25NM50N 相关信息
  • ST发布基于第二代MDmesh技术的新产品
    ...强，阈压范围保持不变。而且，新一代MDmesh技术支持更严格的RDS (ON)通态电阻要求。 首批上市的新产品系列包括分别采用TO-247、TO-220、TO-220FP和D2PAK/I2PAK封装的500V、140mΩ的STW25NM50N、STP25NM50N、STF25NM50N和STB25NM50NT4/-1；分别采用DPAK、TO-220、TO-220FP和D2PAK封装的500V、380mΩ的STD12NM50NT4、STP12NM50N、STF12NM50N、STB12NM50NT4；分别采用TO-247、TO-220、TO-220...
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    [相关信息]...效率明显提升，在新的电源转换器设计中，能够大幅度降低成本，提高系统可靠性。 ST的多重漏极网格(MDmesh)工艺采用一个创新的漏极结构，漏极是由隔离物组成的阵列结构，纵向的p-型漏极条作为漏极体的延伸，沿很薄的水平n-型源极条排列。除极低的通态...    STP25NM60ND[技术参数]其它有关文件：STP25NM60ND View All Specifications 标准包装：50 类别：分离式半导体产品 家庭：FET - 单 系列：FDmesh™STP26NM60N[技术参数]其它有关文件：STP26NM60N View All Specifications 标准包装：50 类别：分离式半导体产品 家庭：FET - 单 系列：MDmesh™STP270N04[技术参数]标准包装：1,000 类别：分离式半导体产品 家庭：FET - 单 系列：STripFET™ FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 STP270N4F3 STP2740C STP2740C08 STP2740C0B STP2740COB STP2744B STP2744C STP27N3LH5 STP2F120V1Q7 STP2HNC60 STP2HNC60FP STP2HNK60Z STP2N60 STP2N60FI STP2N6O STP2N80 STP2N80FI STP2N80FJ
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