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STS05DTP03

更新时间:2025-06-12 21:49:03
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STS05DTP03外观图

STS05DTP03

STMicroelectronics 晶体管(BJT) - 阵列

TRANS DUAL NPN-PNP BIPO 8SOIC

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
STS05DTP03 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN，PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    700mV @ 250mA，5A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    1µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    100 @ 1A，2V
  • 功率 - 最大
    2W
  • 频率 - 转换
    -
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SO
  • 包装
    Digi-Reel®
  • 其它名称
    497-10033-6
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