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STS5DNE30L

更新时间:2025-06-20 03:25:37
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STS5DNE30L 规格参数
  • 制造商
    STMicroelectronics
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    30 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 20 V
  • 漏极连续电流
    5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.045 Ohms
  • 配置
    Dual Dual Drain
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    SO-8
  • 封装
    Reel
  • 功率耗散
    2 W
  • 工厂包装数量
    2500
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