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STS5N15F3

更新时间:2025-07-06 21:07:17

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STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 150V 5A 8-SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

STS5N15F3 概述

STS5N15F3是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，适用于高效功率转换应用。其最大漏源电压(VDS)为150V，适合于高压应用场合如电机驱动、开关电源和DC-DC转换器中。由于其快速开关性能，能够减少开关损耗，提高系统效率。此外，它在栅极电荷量(Qg)方面表现优秀，有助于降低驱动电路的设计复杂度。在实际使用时，应确保散热设计合理以维持稳定工作温度，并注意防止静电损坏。在电机控制应用中，可以与PWM控制器配合使用来实现精确的速度调节。

STS5N15F3 规格参数

其它有关文件
STS5N15F3 View All Specifications
标准包装
1
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
57 毫欧 @ 2.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1300pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SO
包装
Digi-Reel?
其它名称
497-8903-6

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