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STU70N2LH5

更新时间:2025-06-11 04:16:21

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STU70N2LH5

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 25V 48A IPAK

封装:TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB

STU70N2LH5 概述

STU70N2LH5是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的SuperMESH 5技术，具有极低的导通电阻和栅极电荷，适用于高效功率转换应用。其最大漏源电压(VDS)为80V，连续漏极电流(ID)可达70A，在高功率密度设计中表现出色。典型应用场景包括开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和电池管理系统等。由于其低导通损耗和快速开关特性，特别适合于需要高效能和紧凑设计的电力电子系统。在实际应用中，建议在栅极串联一个小电阻(荡，并确保良好的散热设计以维持器件工作温度在安全范围内。电路设计时应遵循制造商推荐的PCB布局指南，以实现最佳电气性能和热性能。

STU70N2LH5 规格参数

标准包装
75
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
48A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7.5 毫欧 @ 24A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1300pF @ 25V
功率 - 最大
60W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商设备封装
I-Pak
包装
管件

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