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STW6NA90

更新时间:2025-07-11 04:14:13

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STW6NA90 概述

STW6NA90是意法半导体(STMicroelectronics)生产的高压N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh技术，具有低导通电阻和低栅极电荷特性。其最大漏源电压Vds为900V，连续漏极电流Id在25℃时为6A，适用于各种高效率开关电源应用。典型应用场景包括开关电源、适配器、LED驱动器、电池充电器以及工业控制设备中的电源管理部分。由于其优异的开关性能和低损耗特点，特别适合用于高频DC-DC转换器和谐振拓扑结构中。在实际应用中，建议使用合适的栅极驱动电路以确保MOSFET可靠开启和关闭。布局时应注意减小寄生电感，避免产生电压尖峰。此外，需根据具体工作条件选择适当的散热措施，以保证器件长期稳定运行。

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