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STW77N65M5

更新时间:2024-04-28 23:47:54
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STW77N65M5外观图

  • 其它有关文件:STW77N65M5 View All Specifications
  • 产品培训模块:5th Generation High Voltage Mosfet Technology
  • 特色产品:MDmesh V Series Mosfets
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:MDmesh™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:69A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:38 毫欧 @ 34.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:200nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:9800pF @ 100V
  • 功率 - 最大:400W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商设备封装:TO-247-3
  • 包装:管件
  • 其它名称:497-10589-5STW77N65M5-ND
STW77N65M5 相关信息
  • ST推出业界单位芯片面积通态电阻最低的超结器件
    意法半导体(ST)日前推出一款全新功率 MOSFET产品,为设计工程师带来更多选择。新产品 STW77N65M5采用意法半导体的超高能效MDmesh V制造工艺和工业标准TO-247 封装,是业内通态电阻最低的650V MOSFET产品。 意法半导体功率MOSFET产品部市场总监Maurizio Giudice表示:“MDmesh V 系列产品整合了意法半导体专属的第五代超结技术,和经过应用验证的 PowerMESH™ 水平布局设计,产...
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