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STX112-AP

更新时间:2025-05-19 07:15:44
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STX112-AP外观图

STX112-AP

STMicroelectronics 晶体管(BJT) - 单路

TRANSISTOR DARL NPN TO-92

  • 封装:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
STX112-AP 规格参数
  • 其它有关文件
    STX112 View All Specifications
  • 标准包装
    2,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    2.5V @ 8mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    2mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    1000 @ 1A，4V
  • 功率 - 最大
    1.2W
  • 频率 - 转换
    -
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
  • 供应商设备封装
    TO-92AP
  • 包装
    带盒（TB）
  • 其它名称
    497-12706-3STX112-AP-ND
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