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SUB85N06-05

更新时间:2025-05-01 10:57:14
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SUB85N06-05 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=±85A/IDM=±240A
    电压参数：UDS=60V/UGS=±20V
    功   率：PD=3.7W
    其他参数:10.V/0.0044Ω,4.5V/0.0059Ω,trr=50ns
    极  性:N

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SUB85N06-05 PDF下载
  • 大小：54.55KB
  • 厂家：VISAY [Vishay Siliconix]
  • 描述：N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：60 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：85 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.2 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-263-3
  • 下降时间：105 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：3.7 W
  • 上升时间：90 ns
  • 工厂包装数量：800
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：95 ns
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