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SUD19N20-90

更新时间:2024-04-26 07:02:49
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SUD19N20-90 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=19A/IDM=40A
    电压参数：UDS=200V/UGS=±20V
    功   率：PD=3W
    其他参数:10V/0.075Ω,trr=180ns
    极  性:N

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  • 厂家：
  • 描述：  TrenchFET Power MOSFET  175C Junction Temperature  PWM Optimized     Primary Side Switch SUD19N20-90 Vishay Siliconix New Product Document Number: 71767 S-05233—Rev. A, 17-Dec-01 www.vishay.com 1 N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET    V DS (V) r DS(on) () I D (A) 0.090 @ V GS = 10 V 19 200 0.105 @ V GS = 6 V 17.5 D G S N-Channel MOSFET TO-252 S GD Top View Drain Connected to Tab Order Number: SUD19N20-90            Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage V DS 200 Gate-Source Voltage V GS 20 V  T C = 25C 19 Continuous Drain Current (T J = 175C) b T C = 125C I D 11 Pulsed Drain Current I DM 40 A Continuous Source Current (Diode Conduction) I S 19 Avalanche Current I AR 19 Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle  1%) L = 0.1 mH E AR 18 mJ T C = 25C 100 b Maximum Power Dissipation T A = 25C P D 3 a W Operating Junction and Storage Temperature Range T J , T stg –55 to 175
  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：200 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：19 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：90 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-252-3
  • 封装：Reel
  • 下降时间：60 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：3 W
  • 上升时间：50 ns
  • 工厂包装数量：2000
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：30 ns
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