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Flash＋SRAM联合存储器：512K×8 Flash＋128K×8SRAM； 读、写操作电压：3.0～3.6V； 并行操作：在SRSM读出或写入时在Flash中擦除/编程； 高可靠性，保证100000次读/写(典型值)，数据保持100年； 低功耗，动态读出电流：Flash为10mA(典型值)，SRAM为20mA(典型值)，待机电流：10μA(典型值)； Flash扇区擦除功能：均匀的4KB扇区； Flash锁存地址和数据； 快速读取时间：Flash为70ns或300ns，SRAM为70ns或300ns； Flash有快速擦除和字节编程操作，扇区擦除时间：18ms(典型值)，组擦除时间：70ms(典型值)，字节编程时间：14μs(典型值)，组重写时间：8s（典型值）； Flash自动调节擦除和编程时间； Flash有写入完成监测：Toggle位和Data＃查询；兼容CMOS I/O；符合JEDEC标准命令集；温度范围：0～＋70℃(商用级C)； 读取时间：70ns
引脚图：-
SST31LF041A-70-4C-WH引脚图
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