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TC58512FT

更新时间:2024-04-15 23:10:35
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  • 厂家：TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
  • 描述：TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC58512FT 相关信息
  • 一种在片上系统中实现Nand Flash控制器的方法
    ...提升产品性能。但是,Nand型闪存的使用相对于Nor型闪存在硬件设计和软件控制上都有相当的难度,值得在技术上进一步探索和研究。 2Nand Flash的结构特点对其读写的限制 笔者选用的Nand Flash是东芝TC58512FT(见图1) ,该款的Nand Flash 以528个byte 组成一个页(page) , 32个页组成一个块( block) ,由4096个块组成整个Flash存储器。在每页中前512bytes是用于存储数据,而后16bytes则用于存放ECC...
  • SEP4O20在Linux NandFlash驱动中的应用
    ...佳的产品，NAND正被证明极具吸引力。NAND的效率较高，是因为NAND串中没有金属触点。NAND闪存单元的大小比NOR要小（4F2:10F2）的原因，是NOR的每一个单元都需要独立的金属触点。以本文使用的东芝TC58512FT（64MNand）为例，分为4096块，每块有32页，每页有512B的数据区+16B的OOB（out of band）区。（4096×32×512B=64MB），均通过8跟IOM线串行控制，如图l所示。 同时由于工艺限...
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