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TH58100FT

更新时间:2025-04-25 13:15:27
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TH58100FT PDF下载
  • 大小：421.77KB
  • 厂家：TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
  • 描述：TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
  • 标准包装：60
  • 类别：集成电路 (IC)
  • 家庭：存储器
  • 系列：-
  • 格式 - 存储器：闪存
  • 存储器类型：闪存 - NAND
  • 存储容量：1G（128M x 8）
  • 速度：50ns
  • 接口：串行
  • 电源电压：2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度：0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
  • 供应商设备封装：48-TSOP I
  • 包装：托盘
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