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TIP30BG

更新时间:2023-09-11 17:02:00
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TIP30BG外观图

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
  • 最大直流电集电极电流:1 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:40
  • 配置:Single
  • 最大工作频率:3 MHz (Min)
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220-3
  • 封装:Tube
  • 集电极连续电流:1 A
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:2 W
  • 工厂包装数量:50
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