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TIP31C

更新时间:2024-04-28 10:26:41
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  • 大小：239.09KB
  • 厂家：TD
  • 描述：Dated：21/09/2016 Rev：03 TOP DYNAMIC TIP31C NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for power switching and amplifier applications Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage V CBO 100 V Collector Emitter Voltage V CEO 100 V Emitter Base Voltage V EBO 5 V Collector Current I C 3 A Collector Current (Pulse) I CP 5 A Base Current I B 1 A Power Dissipation (T a = 25 O C) P tot 2 W Power Dissipation (T c = 25 O C) P tot 40 W Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T s - 65 to + 150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Max. Unit DC Current Gain at V CE = 4 V, I C = 1 A at V CE = 4 V, I C = 3 A h FE h FE 25 10 - 50 - - Collector Emitter Cutoff Current at V CE = 100 V I CES - 0.2 mA Collector Emitter Cutoff Current at V CE = 60 V I CEO - 0.3 mA Emitter Base Cutoff Current at V EB =
  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：3 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：10
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：3 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220
  • 封装：Bulk
  • 集电极连续电流：3 A
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：40 W
  • 工厂包装数量：200
  • 零件号别名：TIP31C_NL
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