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TPS1100DR

更新时间:2025-05-01 12:07:20
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TPS1100DR的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

TPS1100DR外观图

  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：15V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 1.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：5.45nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：791mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SOIC
  • 包装：带卷 (TR)
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