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TPS1101DR

更新时间:2025-06-11 08:34:29
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TPS1101DR外观图

TPS1101DR

Texas Instruments FET - 单

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TPS1101DR 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    15V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    2.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    90 毫欧 @ 2.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    11.25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    -
  • 功率 - 最大
    791mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SOIC
  • 包装
    带卷 (TR)
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