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VN02H-E

更新时间:2025-05-18 12:40:18

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VN02H-E

STMicroelectronics PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关

IC SSR HI SIDE 60V PENTAWATT VRT

封装:Pentawatt-5（垂直，弯曲和错列引线）

VN02H-E 概述

VN02H-E是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能的电源管理应用。其最大漏源电压(VDS)为20V，在10V栅源电压下典型导通电阻(RDS(on))低至2.8mΩ，可有效降低导通损耗。常见应用场景包括直流-直流转换器、负载开关、电池保护电路以及电机驱动等便携式电子设备中。由于其紧凑的封装(SOT-23-6L)和优异的电气性能，特别适合空间受限且对效率要求较高的设计场合。在实际应用时需注意栅极驱动电压的选择以确保MOSFET完全开启，同时合理布局PCB走线减少寄生电感影响开关性能。

VN02H-E 规格参数

标准包装
50
类别
集成电路 (IC)
家庭
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关
系列
-
类型
高端
输入类型
非反相
输出数
1
导通状态电阻
400 毫欧
电流 - 输出 / 通道
-
电流 - 峰值输出
6A
电源电压
5 V ~ 36 V
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
通孔
封装/外壳
Pentawatt-5（垂直，弯曲和错列引线）
供应商设备封装
5-PENTAWATT
包装
管件

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